當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 膜厚儀 > Thetametrisis膜厚儀 > FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150自動化高速薄膜厚度測量儀
簡要描述：顯示器薄膜測量儀*的光學模塊可容納所有光學部件：分光計、復合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此，在準確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
產(chǎn)品型號：FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150廠商性質：代理商產(chǎn)品資料：更新時間：2024-11-09訪 問 量： 1982產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
1、FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150介紹
模塊化厚度測繪系統(tǒng)平臺，集成了光學、電子和機械模塊，用于表征圖案化薄膜光學參數(shù)。典型案例包括（但不限于）微圖案表面、粗糙表面等。晶圓放置在真空吸盤上，該真空吸盤支持尺寸/直徑達 300 毫米的各種晶圓，執(zhí)行測量光斑尺寸小至幾微米的強大光學模塊。具超高精度和可重復性的電動RΘ 載物臺，在速度、精度和可重復性方面具有出色的性能。
FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150提供：o 實時光譜反射率測量 o 薄膜厚度、光學特性、不均勻性測量、厚度測繪o 使用集成的、USB 連接的高質量彩色相機進行成像o 測量參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù) * 還提供用于測量更大直徑晶圓上涂層的工具（最大 450 毫米）
2、特征
o 單擊分析（無需初始猜測）
o 動態(tài)測量
o 光學參數(shù)（n & k、色座標）
o Click2Move 和圖案測量位置對齊功能
o 多個離線分析安裝
o 免費軟件更新
3、規(guī)格
Model | UV/VIS | UV/NIR -EX | UV/NIR-HR | D UV/NIR | VIS/NIR | D VIS/NIR | NIR | NIR-N2 | ||
Spectral Range (nm) | 200 – 850 | 200 –1020 | 200-1100 | 200 – 1700 | 370 –1020 | 370 – 1700 | 900 – 1700 | 900 - 1050 | ||
Spectrometer Pixels | 3648 | 3648 | 3648 | 3648 & 512 | 3648 | 3648 & 512 | 512 | 3648 | ||
Thickness range (SiO2) *1 | 5X- VIS/NIR | 4nm – 60μm | 4nm – 70μm | 4nm – 100μm | 4nm – 150μm | 15nm – 90μm | 15nm–150μm | 100nm-150μm | 4um – 1mm | |
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR* | 4nm – 50μm | 4nm – 60μm | 4nm – 80μm | 4nm – 130μm | 15nm – 80μm | 15nm–130μm | 100nm–130μm | – | ||
15X- UV/NIR * | 4nm – 40μm | 4nm – 50μm | 4nm – 50μm | 4nm – 120μm | – | – | 100nm-100μm | – | ||
20X- VIS/NIR 20X- UV/NIR * | 4nm – 25μm | 4nm – 30μm | 4nm – 30μm | 4nm – 50μm | 15nm – 30μm | 15nm – 50μm | 100nm – 50μm | – | ||
40X- UV/NIR * | 4nm – 4μm | 4nm – 4μm | 4nm – 5μm | 4nm – 6μm | – | – | – | – | ||
50X- VIS/NIR | – | – | – | – | 15nm – 5μm | 15nm – 5μm | 100nm – 5μm | – | ||
Min. Thickness for n & k | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm | 100nm | 100nm | 500nm | – | ||
Thickness Accuracy **2 | 0.1% or 1nm | 0.2% or 2nm | 3nm or 0.3% | |||||||
Thickness Precision **3/4 | 0.02nm | 0.02nm | <1nm | 5nm | ||||||
Thickness stability **5 | 0.05nm | 0.05nm | <1nm | 5nm | ||||||
Light Source | Deuterium & Halogen | Halogen (internal), 3000h (MTBF) | ||||||||
R/Angle resolution | 5μm/0.1o | |||||||||
Material Database | > 700 different materials | |||||||||
Wafer size | 2in-3in-4in-6in-8in-300mm | |||||||||
Scanning Speed | 100meas/min (8’’ wafer size) | |||||||||
Tool footprint / Weight | 650x500mm / 45Kg | |||||||||
Power | 110V/230V, 50-60Hz, 350W | |||||||||
測量區(qū)域光斑（收集反射信號的區(qū)域）與物鏡和孔徑大小有關
物鏡 | Spot Size (光斑) | ||
放大倍率 | 500微米孔徑 | 250微米孔徑 | 100微米孔徑 |
5x | 100 μm | 50 μm | 20 μm |
10x | 50 μm | 25 μm | 10 μm |
20x | 25 μm | 15 μm | 5 μm |
50x | 10 μm | 5 μm | 2 μm |
4、工作原理
Principle of Operation 測量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結構的一個波長范圍內的反射量，入射光垂直于樣品表面，由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計算確定（透明或部分透明或wan'quan反射基板上）薄膜的厚度、光學常數(shù)（N&K）等。
*1規(guī)格如有變更，恕不另行通知，*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測量結果匹配，*3超過15天平均值的標準偏差平均值，樣品:硅晶片上1微米SiO2，*4標準偏差100次厚度測量結果，樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內每日平均值的2*標準差。樣品:硅片上1微米SiO2。
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